|
来自普渡大学和哈佛大学的研究人员制作出一种新型晶体管，所使用的材料有望取代硅，并且采用了立体结构，而非传统的平板结构。 这种晶体管可以让工程师开发出速度更快、集成度和效率更高的集成电路，进而设计出更轻薄的笔记本电脑，散发的热量远远低于现在的水平。这些晶体管包含很多由砷化铟镓做成的纳米管，并没有采用传统的材料硅。
生产工艺采用了所谓的顶部朝下的方法，类似于把原件精确地蚀刻并固定在晶体管上的工业流程类似，由于兼容传统工艺，有望被业界采纳。 新一代硅芯片将在明天问世，届时将采用垂直结构，而非平板设计，但由于硅的电子流动性有限，人们急需一种流动性更强的新材料来替代硅。 三五族材料砷化铟镓就是候选半导体之一，普渡大学通过这种材料做出了全球首款 3D 环绕闸极 (gate-all-around) 晶体管。 此外，三五族合金纳米管将把闸极长度缩短到 10 纳米范围内，其导电能力比硅快 5 倍。 此项研究由普渡大学和哈佛大学联合开展，相关论文将发表在本月在华盛顿举办的国际电子设备大会（International Electron Devices Meeting ）上。 |
